Taiwan Semiconductor Corporation - TSM160N10LCR RLG

KEY Part #: K6396504

TSM160N10LCR RLG Preços (USD) [214448pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.17248

Número da peça:
TSM160N10LCR RLG
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - RF and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM160N10LCR RLG Atributos do produto

Número da peça : TSM160N10LCR RLG
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 46A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 73nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4431pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 83W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-PDFN (5x6)
Pacote / caso : 8-PowerTDFN

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