FDN302P Preços (USD) [547965pcs Estoque]
- 1 pcs$0.06784
- 3,000 pcs$0.06750
- Número da peça:
- FDN302P
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDN302P electronic components. FDN302P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDN302P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDN302P Atributos do produto
Número da peça :
FDN302P
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
882pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
500mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SuperSOT-3
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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