ON Semiconductor - FDD86367-F085

KEY Part #: K6396547

FDD86367-F085 Preços (USD) [131104pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.28212

Número da peça:
FDD86367-F085
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD86367-F085 Atributos do produto

Número da peça : FDD86367-F085
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Series : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 88nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4840pF @ 40V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 227W (Tj)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-PAK (TO-252)
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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