SIHB180N60E-GE3 Preços (USD) [24228pcs Estoque]
- 1 pcs$1.70110
- Número da peça:
- SIHB180N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH D2PAK TO-263.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
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SIHB180N60E-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SIHB180N60E-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH D2PAK TO-263
Series :
E
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
19A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
33nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1085pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
156W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D²PAK (TO-263)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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