Toshiba Semiconductor and Storage - TK22A10N1,S4X

KEY Part #: K6397593

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Número da peça:
TK22A10N1,S4X
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK22A10N1,S4X Atributos do produto

Número da peça : TK22A10N1,S4X
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CH 100V 52A TO-220
Series : U-MOSVIII-H
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 22A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.8 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 300µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 30W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220SIS
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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