Número da peça :
TK22A10N1,S4X
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 52A TO-220
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
22A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13.8 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 300µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
28nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1800pF @ 50V
Dissipação de energia (máx.) :
30W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220SIS
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack