ON Semiconductor - FDD86250-F085

KEY Part #: K6397684

FDD86250-F085 Preços (USD) [132507pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.27914

Número da peça:
FDD86250-F085
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
NMOS DPAK 150V 22 MOHM.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs, Tiristores - DIACs, SIDACs and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD86250-F085 Atributos do produto

Número da peça : FDD86250-F085
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : NMOS DPAK 150V 22 MOHM
Series : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1900pF @ 75V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 160W (Tj)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252, (D-Pak)
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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