[1598pcs Estoque]
- Número da peça:
- TK4P60DA(T6RSS-Q)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60DA(T6RSS-Q) electronic components. TK4P60DA(T6RSS-Q) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK4P60DA(T6RSS-Q), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK4P60DA(T6RSS-Q) Atributos do produto
Número da peça :
TK4P60DA(T6RSS-Q)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK-3
Series :
π-MOSVII
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.2 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
490pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
80W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D-Pak
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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