Toshiba Semiconductor and Storage - TK4P60DA(T6RSS-Q)

KEY Part #: K6405632

[1598pcs Estoque]


    Número da peça:
    TK4P60DA(T6RSS-Q)
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK-3.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - TRIACs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unijunction Programável, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Matrizes and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TK4P60DA(T6RSS-Q) Atributos do produto

    Número da peça : TK4P60DA(T6RSS-Q)
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição : MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK-3
    Series : π-MOSVII
    Status da Peça : Active
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.5A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 Ohm @ 1.8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±30V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 490pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 80W (Tc)
    Temperatura de operação : 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-Pak
    Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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