Renesas Electronics America - NP90N06VLG-E1-AY

KEY Part #: K6405585

[1614pcs Estoque]


    Número da peça:
    NP90N06VLG-E1-AY
    Fabricante:
    Renesas Electronics America
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 60V 90A TO-252.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - JFETs, Tiristores - TRIACs and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NP90N06VLG-E1-AY Atributos do produto

    Número da peça : NP90N06VLG-E1-AY
    Fabricante : Renesas Electronics America
    Descrição : MOSFET N-CH 60V 90A TO-252
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.8 mOhm @ 45A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 135nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6900pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 1.2W (Ta), 105W (Tc)
    Temperatura de operação : 175°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252
    Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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