Toshiba Semiconductor and Storage - TPC6008-H(TE85L,FM

KEY Part #: K6405626

[1600pcs Estoque]


    Número da peça:
    TPC6008-H(TE85L,FM
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TPC6008-H(TE85L,FM Atributos do produto

    Número da peça : TPC6008-H(TE85L,FM
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição : MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
    Series : U-MOSVI-H
    Status da Peça : Active
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.9A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 3A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 100µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 4.8nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 10V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 700mW (Ta)
    Temperatura de operação : 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : VS-6 (2.9x2.8)
    Pacote / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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