FDC365P Preços (USD) [185941pcs Estoque]
- 1 pcs$0.19992
- 3,000 pcs$0.19892
- Número da peça:
- FDC365P
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDC365P electronic components. FDC365P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDC365P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDC365P Atributos do produto
Número da peça :
FDC365P
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
35V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
705pF @ 20V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.6W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SuperSOT™-6
Pacote / caso :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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