Taiwan Semiconductor Corporation - TSM020N04LCR RLG

KEY Part #: K6396512

TSM020N04LCR RLG Preços (USD) [158859pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.23283

Número da peça:
TSM020N04LCR RLG
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM020N04LCR RLG Atributos do produto

Número da peça : TSM020N04LCR RLG
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 170A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 7942pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 104W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-PDFN (5x6)
Pacote / caso : 8-PowerTDFN

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