IXTR102N65X2 Preços (USD) [7433pcs Estoque]
- 1 pcs$7.25392
- 10 pcs$6.59287
- 100 pcs$5.60394
- Número da peça:
- IXTR102N65X2
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - retificadores de ponte, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTR102N65X2 electronic components. IXTR102N65X2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTR102N65X2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTR102N65X2 Atributos do produto
Número da peça :
IXTR102N65X2
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
54A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
33 mOhm @ 51A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
152nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
10900pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
330W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ISOPLUS247™
Pacote / caso :
ISOPLUS247™
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