Texas Instruments - CSD17579Q5AT

KEY Part #: K6395775

CSD17579Q5AT Preços (USD) [209482pcs Estoque]

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  • 1,250 pcs$0.13226

Número da peça:
CSD17579Q5AT
Fabricante:
Texas Instruments
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD17579Q5AT Atributos do produto

Número da peça : CSD17579Q5AT
Fabricante : Texas Instruments
Descrição : MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
Series : NexFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 25A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.7 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 15.1nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1030pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-VSONP (5x6)
Pacote / caso : 8-PowerTDFN

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