Texas Instruments - CSD19505KTTT

KEY Part #: K6395871

CSD19505KTTT Preços (USD) [36005pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.29439
  • 200 pcs$1.28795

Número da peça:
CSD19505KTTT
Fabricante:
Texas Instruments
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD19505KTTT Atributos do produto

Número da peça : CSD19505KTTT
Fabricante : Texas Instruments
Descrição : MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
Series : NexFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 200A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 76nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 7920pF @ 40V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 300W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DDPAK/TO-263-3
Pacote / caso : TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

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