CSD19505KTTT Preços (USD) [36005pcs Estoque]
- 1 pcs$1.29439
- 200 pcs$1.28795
- Número da peça:
- CSD19505KTTT
- Fabricante:
- Texas Instruments
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Texas Instruments CSD19505KTTT electronic components. CSD19505KTTT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD19505KTTT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CSD19505KTTT Atributos do produto
Número da peça :
CSD19505KTTT
Fabricante :
Texas Instruments
Descrição :
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
Series :
NexFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
200A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
76nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
7920pF @ 40V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DDPAK/TO-263-3
Pacote / caso :
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
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