DMTH6010SCT Preços (USD) [51384pcs Estoque]
- 1 pcs$0.72331
- 50 pcs$0.57949
- 100 pcs$0.50707
- 500 pcs$0.39322
- 1,000 pcs$0.29366
- Número da peça:
- DMTH6010SCT
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET BVDSS 41V 60VTO220-3TU.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
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DMTH6010SCT Atributos do produto
Número da peça :
DMTH6010SCT
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET BVDSS 41V 60VTO220-3TU
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
36.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1940pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.8W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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