CSD18511Q5A Preços (USD) [166659pcs Estoque]
- 1 pcs$0.23689
- 2,500 pcs$0.23571
- Número da peça:
- CSD18511Q5A
- Fabricante:
- Texas Instruments
- Descrição detalhada:
- 40V N CH MOSFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Texas Instruments CSD18511Q5A electronic components. CSD18511Q5A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD18511Q5A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CSD18511Q5A Atributos do produto
Número da peça :
CSD18511Q5A
Fabricante :
Texas Instruments
Descrição :
40V N CH MOSFET
Series :
NexFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
159A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 mOhm @ 24A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.45V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
63nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5850pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
104W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-VSONP (5x6)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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