IXFR32N100P Preços (USD) [5981pcs Estoque]
- 1 pcs$8.37054
- 30 pcs$8.32890
- Número da peça:
- IXFR32N100P
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
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- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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IXFR32N100P Atributos do produto
Número da peça :
IXFR32N100P
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
Series :
HiPerFET™, PolarP2™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
18A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
340 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
6.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
225nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
14200pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
320W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ISOPLUS247™
Pacote / caso :
ISOPLUS247™
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