Diodes Incorporated - ZXM61N02FTC

KEY Part #: K6393886

ZXM61N02FTC Preços (USD) [462518pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.07997
  • 10,000 pcs$0.07048

Número da peça:
ZXM61N02FTC
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXM61N02FTC Atributos do produto

Número da peça : ZXM61N02FTC
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 930mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 3.4nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 160pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 625mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23-3
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3