FDD5680 Preços (USD) [167618pcs Estoque]
- 1 pcs$0.22177
- 2,500 pcs$0.22067
- Número da peça:
- FDD5680
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 8.5A D-PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - RF, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDD5680 electronic components. FDD5680 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD5680, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDD5680 Atributos do produto
Número da peça :
FDD5680
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 8.5A D-PAK
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
46nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1835pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.8W (Ta), 60W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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