BSZ014NE2LS5IFATMA1 Preços (USD) [111052pcs Estoque]
- 1 pcs$0.33306
- 5,000 pcs$0.32141
- Número da peça:
- BSZ014NE2LS5IFATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Propósito Específico, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
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BSZ014NE2LS5IFATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSZ014NE2LS5IFATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
31A (Ta), 40A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.45 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
33nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2300pF @ 12V
Recurso FET :
Schottky Diode (Body)
Dissipação de energia (máx.) :
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TSDSON-8-FL
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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