Toshiba Semiconductor and Storage - TK80S04K3L(T6L1,NQ

KEY Part #: K6419354

TK80S04K3L(T6L1,NQ Preços (USD) [106880pcs Estoque]

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Número da peça:
TK80S04K3L(T6L1,NQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK80S04K3L(T6L1,NQ Atributos do produto

Número da peça : TK80S04K3L(T6L1,NQ
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CH 40V 80A DPAK-3
Series : U-MOSIV
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 80A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.1 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 87nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4340pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 100W (Tc)
Temperatura de operação : 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK+
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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