Número da peça :
TK80S04K3L(T6L1,NQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK-3
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
80A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.1 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
87nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4340pF @ 10V
Dissipação de energia (máx.) :
100W (Tc)
Temperatura de operação :
175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DPAK+
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63