IRLR3636TRLPBF Preços (USD) [120807pcs Estoque]
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- 3,000 pcs$0.25477
- Número da peça:
- IRLR3636TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
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IRLR3636TRLPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRLR3636TRLPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
49nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3779pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
143W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D-Pak
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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