Toshiba Semiconductor and Storage - TJ50S06M3L(T6L1,NQ

KEY Part #: K6419537

TJ50S06M3L(T6L1,NQ Preços (USD) [117194pcs Estoque]

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Número da peça:
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
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Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TJ50S06M3L(T6L1,NQ Atributos do produto

Número da peça : TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3
Series : U-MOSVI
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 50A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 124nC @ 10V
Vgs (máx.) : +10V, -20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6290pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 90W (Tc)
Temperatura de operação : 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK+
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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