PSMN4R3-100ES,127 Preços (USD) [26643pcs Estoque]
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- 1,000 pcs$0.73402
- Número da peça:
- PSMN4R3-100ES,127
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
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PSMN4R3-100ES,127 Atributos do produto
Número da peça :
PSMN4R3-100ES,127
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
170nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
9900pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
338W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I2PAK
Pacote / caso :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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