Toshiba Semiconductor and Storage - TK10A60E,S5X

KEY Part #: K6397964

TK10A60E,S5X Preços (USD) [57024pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.68568

Número da peça:
TK10A60E,S5X
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V TO220SIS.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK10A60E,S5X Atributos do produto

Número da peça : TK10A60E,S5X
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CH 600V TO220SIS
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 45W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220SIS
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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