IXFY4N60P3 Preços (USD) [58086pcs Estoque]
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- 10 pcs$0.66980
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- 500 pcs$0.41852
- 1,000 pcs$0.32803
- Número da peça:
- IXFY4N60P3
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
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- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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IXFY4N60P3 Atributos do produto
Número da peça :
IXFY4N60P3
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 4A TO-252
Series :
HiPerFET™, Polar3™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
6.9nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
365pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
114W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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