TK5A60W,S4VX Preços (USD) [44322pcs Estoque]
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- 50 pcs$0.78185
- 100 pcs$0.70366
- 500 pcs$0.54729
- 1,000 pcs$0.45347
- Número da peça:
- TK5A60W,S4VX
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N CH 600V 5.4A TO-220SIS.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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TK5A60W,S4VX Atributos do produto
Número da peça :
TK5A60W,S4VX
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N CH 600V 5.4A TO-220SIS
Series :
DTMOSIV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
900 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 270µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
10.5nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
380pF @ 300V
Recurso FET :
Super Junction
Dissipação de energia (máx.) :
30W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220SIS
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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