TK65A10N1,S4X Preços (USD) [33399pcs Estoque]
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- 50 pcs$1.03020
- 100 pcs$0.92718
- 500 pcs$0.72114
- 1,000 pcs$0.59752
- Número da peça:
- TK65A10N1,S4X
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 65A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - JFETs and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
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TK65A10N1,S4X Atributos do produto
Número da peça :
TK65A10N1,S4X
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 65A TO-220
Series :
U-MOSVIII-H
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
65A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.8 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
81nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5400pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
45W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220SIS
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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