EPC - EPC2016

KEY Part #: K6404516

EPC2016 Preços (USD) [1985pcs Estoque]

  • 2,500 pcs$0.61168

Número da peça:
EPC2016
Fabricante:
EPC
Descrição detalhada:
GANFET TRANS 100V 11A BUMPED DIE.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Diodos - retificadores de ponte, Módulos de driver de energia and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2016 Atributos do produto

Número da peça : EPC2016
Fabricante : EPC
Descrição : GANFET TRANS 100V 11A BUMPED DIE
Series : eGaN®
Status da Peça : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 11A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 3mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 5.2nC @ 5V
Vgs (máx.) : +6V, -5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 520pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : -
Temperatura de operação : -40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Die
Pacote / caso : Die
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