[2013pcs Estoque]
- Número da peça:
- AUIRLR3110Z
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 63A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies AUIRLR3110Z electronic components. AUIRLR3110Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRLR3110Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
AUIRLR3110Z Atributos do produto
Número da peça :
AUIRLR3110Z
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 63A DPAK
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
42A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
48nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3980pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
140W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D-Pak
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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