IPP051N15N5AKSA1 Preços (USD) [13436pcs Estoque]
- 1 pcs$3.06727
- 500 pcs$1.86831
- Número da peça:
- IPP051N15N5AKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MV POWER MOS.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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IPP051N15N5AKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPP051N15N5AKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MV POWER MOS
Series :
OptiMOS™ 5
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
120A
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.1 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.6V @ 264µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
100nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
7800pF @ 75V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
500mW (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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