NXP USA Inc. - BUK961R4-30E,118

KEY Part #: K6404513

[1985pcs Estoque]


    Número da peça:
    BUK961R4-30E,118
    Fabricante:
    NXP USA Inc.
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Módulos de driver de energia, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK961R4-30E,118 Atributos do produto

    Número da peça : BUK961R4-30E,118
    Fabricante : NXP USA Inc.
    Descrição : MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
    Series : TrenchMOS™
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 mOhm @ 25A, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 113nC @ 5V
    Vgs (máx.) : ±10V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 16150pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 357W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK
    Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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