IRFP250NPBF Preços (USD) [33519pcs Estoque]
- 1 pcs$1.01598
- 10 pcs$0.91773
- 100 pcs$0.73761
- 500 pcs$0.57369
- 1,000 pcs$0.47535
- Número da peça:
- IRFP250NPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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IRFP250NPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFP250NPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
75 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
123nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2159pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
214W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247AC
Pacote / caso :
TO-247-3
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