[2205pcs Estoque]
- Número da peça:
- FDN338P_G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- INTEGRATED CIRCUIT.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDN338P_G electronic components. FDN338P_G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDN338P_G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDN338P_G Atributos do produto
Número da peça :
FDN338P_G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
INTEGRATED CIRCUIT
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
115 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
6.2nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
451pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
500mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SuperSOT-3
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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