IXFQ30N60X Preços (USD) [15904pcs Estoque]
- 1 pcs$2.85133
- 10 pcs$2.54504
- 100 pcs$2.08693
- 500 pcs$1.68991
- 1,000 pcs$1.42522
- Número da peça:
- IXFQ30N60X
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 30A TO3P.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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IXFQ30N60X Atributos do produto
Número da peça :
IXFQ30N60X
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
155 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
56nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2270pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
500W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-3P
Pacote / caso :
TO-3P-3, SC-65-3
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