ON Semiconductor - FCPF250N65S3L1

KEY Part #: K6397424

FCPF250N65S3L1 Preços (USD) [93291pcs Estoque]

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Número da peça:
FCPF250N65S3L1
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220F-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - RF, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCPF250N65S3L1 Atributos do produto

Número da peça : FCPF250N65S3L1
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 650V 12A TO220F-3
Series : SuperFET® III
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.2mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1010pF @ 400V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 31W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220F-3
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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