ON Semiconductor - FQPF6N80C

KEY Part #: K6399910

FQPF6N80C Preços (USD) [40660pcs Estoque]

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  • 1,000 pcs$0.28518

Número da peça:
FQPF6N80C
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Propósito Específico, Diodos - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQPF6N80C Atributos do produto

Número da peça : FQPF6N80C
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F
Series : QFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1310pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 51W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220F
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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