BTS282ZE3180AATMA2 Preços (USD) [31424pcs Estoque]
- 1 pcs$1.31155
- 1,000 pcs$1.00084
- Número da peça:
- BTS282ZE3180AATMA2
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BTS282ZE3180AATMA2 electronic components. BTS282ZE3180AATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BTS282ZE3180AATMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BTS282ZE3180AATMA2 Atributos do produto
Número da peça :
BTS282ZE3180AATMA2
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
Series :
TEMPFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
49V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.5 mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 240µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
232nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4800pF @ 25V
Recurso FET :
Temperature Sensing Diode
Dissipação de energia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO263-7-1
Pacote / caso :
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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