SCT20N120 Preços (USD) [5944pcs Estoque]
- 1 pcs$6.40337
- 10 pcs$5.88511
- 100 pcs$4.97021
- Número da peça:
- SCT20N120
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - RF, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics SCT20N120 electronic components. SCT20N120 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SCT20N120, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SCT20N120 Atributos do produto
Número da peça :
SCT20N120
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
20A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
290 mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
45nC @ 20V
Vgs (máx.) :
+25V, -10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
650pF @ 400V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
175W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
HiP247™
Pacote / caso :
TO-247-3
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