ON Semiconductor - FQD7P06TM_NB82050

KEY Part #: K6407920

[806pcs Estoque]


    Número da peça:
    FQD7P06TM_NB82050
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrição detalhada:
    MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs and Tiristores - SCRs ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in ON Semiconductor FQD7P06TM_NB82050 electronic components. FQD7P06TM_NB82050 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD7P06TM_NB82050, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQD7P06TM_NB82050 Atributos do produto

    Número da peça : FQD7P06TM_NB82050
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrição : MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
    Series : QFET®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.4A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 451 mOhm @ 2.7A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 8.2nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±25V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 295pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 28W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-Pak
    Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63