IXFP8N85X Preços (USD) [37709pcs Estoque]
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- 10 pcs$0.64387
- 100 pcs$0.51740
- 500 pcs$0.40242
- 1,000 pcs$0.31541
- Número da peça:
- IXFP8N85X
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFP8N85X electronic components. IXFP8N85X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFP8N85X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFP8N85X Atributos do produto
Número da peça :
IXFP8N85X
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
850V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
850 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
654pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
200W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB (IXFP)
Pacote / caso :
TO-220-3
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