IXTA110N12T2 Preços (USD) [20874pcs Estoque]
- 1 pcs$2.17265
- 10 pcs$1.93908
- 100 pcs$1.59005
- 500 pcs$1.28755
- 1,000 pcs$1.03020
- Número da peça:
- IXTA110N12T2
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- 120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTA110N12T2 electronic components. IXTA110N12T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA110N12T2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTA110N12T2 Atributos do produto
Número da peça :
IXTA110N12T2
Fabricante :
IXYS
Descrição :
120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
Series :
TrenchT2™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
120V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
110A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
120nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
6570pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
517W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263 (IXTA)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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