Infineon Technologies - IRFB7434GPBF

KEY Part #: K6418777

IRFB7434GPBF Preços (USD) [77270pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.50602
  • 1,000 pcs$0.48575

Número da peça:
IRFB7434GPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N CH 40V 195A TO220AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - JFETs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Módulos de driver de energia and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFB7434GPBF Atributos do produto

Número da peça : IRFB7434GPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
Series : HEXFET®, StrongIRFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 195A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 324nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 10820pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : -
Temperatura de operação : -
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220-3
Pacote / caso : TO-220-3