IPA65R420CFDXKSA1 Preços (USD) [77879pcs Estoque]
- 1 pcs$0.50206
- 500 pcs$0.47494
- Número da peça:
- IPA65R420CFDXKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - TRIACs, Transistores - Propósito Específico, Diodos - RF, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
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IPA65R420CFDXKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPA65R420CFDXKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8.7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
420 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 340µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
32nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
870pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
31.2W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220 Full Pack
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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