FCB20N60FTM Preços (USD) [26677pcs Estoque]
- 1 pcs$1.54487
- 800 pcs$1.49067
- Número da peça:
- FCB20N60FTM
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Single and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FCB20N60FTM electronic components. FCB20N60FTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCB20N60FTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FCB20N60FTM Atributos do produto
Número da peça :
FCB20N60FTM
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Series :
SuperFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
20A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
98nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3080pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
208W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D²PAK
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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