STMicroelectronics - STS9P2UH7

KEY Part #: K6415367

STS9P2UH7 Preços (USD) [12434pcs Estoque]

  • 2,500 pcs$0.18272

Número da peça:
STS9P2UH7
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STS9P2UH7 Atributos do produto

Número da peça : STS9P2UH7
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC
Series : STripFET™
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2390pF @ 16V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.7W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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