[1970pcs Estoque]
- Número da peça:
- SPD50N03S207GBTMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies SPD50N03S207GBTMA1 electronic components. SPD50N03S207GBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPD50N03S207GBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SPD50N03S207GBTMA1 Atributos do produto
Número da peça :
SPD50N03S207GBTMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 85µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
46.5nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2170pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
136W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO252-3
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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