Infineon Technologies - IPA60R125P6XKSA1

KEY Part #: K6416755

IPA60R125P6XKSA1 Preços (USD) [18229pcs Estoque]

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  • 1,000 pcs$0.92634

Número da peça:
IPA60R125P6XKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V TO220FP-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA60R125P6XKSA1 Atributos do produto

Número da peça : IPA60R125P6XKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
Series : CoolMOS™ P6
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 960µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2660pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 34W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO220-FP
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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