IPP65R190C6XKSA1 Preços (USD) [45060pcs Estoque]
- 1 pcs$1.41465
- 10 pcs$1.26393
- 100 pcs$0.98316
- 500 pcs$0.79613
- 1,000 pcs$0.67143
- Número da peça:
- IPP65R190C6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPP65R190C6XKSA1 electronic components. IPP65R190C6XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP65R190C6XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPP65R190C6XKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPP65R190C6XKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
20.2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 730µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
73nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1620pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
151W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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