Infineon Technologies - IRFR3607TRPBF

KEY Part #: K6417805

IRFR3607TRPBF Preços (USD) [118470pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.31221
  • 2,000 pcs$0.25581

Número da peça:
IRFR3607TRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR3607TRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRFR3607TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 75V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 56A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 84nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3070pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 140W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-Pak
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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